可控硅模塊從內部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類。從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS)、單相（三相）整流橋模塊（MDQ)、單相半控橋（三相全控橋）模塊(MTS)以及肖特基模塊等。
　　
　　可控硅模塊的主要弱點是承受過電流和過電壓的能力很差，即使短時間的過流和過電壓，也可能導致可控硅模塊的損壞，所以必須對它采用適當?shù)谋Ｗo措施。下面就來看一下可控硅模塊的兩大保護措施：
　　
　　1.過電流保護
　　
　　可控硅模塊出現(xiàn)過電流的主要原因是過載、短路和誤觸發(fā)。過電流保護有以下三種：
　　
　　種是快速容斷器：快速容斷器中的溶絲是銀質的，只要選用適當，在同樣的過電流倍數(shù)下，它可以在可控硅模塊損壞前先溶斷，從而保護了晶閘管。
　　
　　第二種是過電流繼電器：當電流超過過電流繼電器的整定值時，過電流繼電器就會動作，切斷保護電路。但由于繼電器動作到切斷電路需要一定時間，所以只能用作可控硅模塊的過載保護。
　　
　　第三種是過載截止保護：利用過電流的信號將可控硅模塊的觸發(fā)信號后移，或使可控硅模塊得導通角減小，或干脆停止觸發(fā)保護可控硅模塊。
　　
　　2.過電壓保護
　　
　　過電壓可能導致可控硅模塊的擊穿，其主要原因是由于電路中電感元件的通斷、熔斷器熔斷或可控硅模塊導通與截止間的轉換。對過壓保護可采用兩種措施：
　　
　　種：阻容保護
　　
　　第二種：硒堆保護